王阳元
王阳元院士
现任北京大学教授、博士生导师、中国科学院院士，北京大学微电子学研究所所长，中国电子学会常务理事，《半导体学报》和《电子学报》（英文版）副主编，《微电子学科学丛书》主编。国家产业政策专家咨询委员会委员，信息产业部科技委委员(电子)，国际固态电路会议（ISSCC）远东程序委员会委员，美国IEEE
Fellow和英国IEE Fellow 等。
院士简介
70年代主持研制成功我国第一块1024位MOS随机存储器，是我国硅栅N沟道技术开拓者之一，此后在多晶硅薄膜物理和氧化动力学研究方面提出了新的多晶硅氧化模型和氧化动力学工程应用方程和特征参数。被国际同行认�"在微电子领域处理了对许多工作者都有重要意义的课题"，“对现实工艺过程研究具有重要的指导意义。”
在绝缘衬底上生长硅单晶薄膜(Silicon On Insulator-SOI)和TFSOI/CMOS电路研究中，发现了磷掺杂对固相外延速率的增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用。在SOI/CMOS器件模型和电路模拟工作方面，提出了SOI器件浮体效应模型和通过改变器件参量抑制浮体效应的工艺设计技术，扩充了SPICE模拟软件。在SOI/CMOS新结构电路研究方面，开发了新的深亚微米器件模型和电路模拟方法，研究成功了多种新型器件和电路。
在MOS绝缘层物理与小尺寸器件物理研究，与合作者一起提出新的预测深亚微米器件可靠性的分析和测试方法。首次在国际上实现了有关陷阱电荷三个基本参量(俘获截面、面密度和矩心)的直接测量和在线检测。
在80年代和90年代分别研究亚微米/深亚微米CMOS复合栅结构和多晶硅发射极超高速电路，与合作者一起在理论上提出了一个新的、能够更准确反映多晶硅发射极晶体管物理特性的解析模型，被国际同行列为国际上有代表性的模型之一。对我国独立自主发展超大规模集成电路产业和改变我国双极集成电路技术落后面貌均有重要意义。
在1986 - 1993年任全国ICCAD专家委员会主任和ICCAT专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统，使我国继美国、日本、欧共体之后进入能自行开发大型ICCAD工具的先进国家行列；在研究集成电路发展规律基础上提出了我国集成电路产业和设计业的发展方向；组织参与了国家微电子"七·五"，"八·五"国家科技攻关。
现从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究，发表科研论文160多篇，出版著作6部，现有16项重大科技成果。获全国科学大会奖、国家发明奖、国家教委科技进步一等奖、光华科技基金一等奖等共16项国家级和部委级奖励。
院士简历
1935年1月1日出生于浙江宁波镇海县，1941年开始在柴桥小学学习，1947年就读于宁波中学，1953年考入北京大学，1958年毕业后留校任教。
时间 历任
1958.8-1969.12 北京大学物理系助教
1969.12-1978.12 北京大学电子仪器厂课题组组长，科技组组长
1978.12-1980.12 北京大学计算机科学技术系讲师，微电子研究室主任
1980.12-1982.4 北京大学计算机科学技术系副教授，微电子研究室主任
1982.4-1983.7 美国加州伯克利大学(U.C Berkeley)访问学者
1983.7-1985.9 北京大学计算机科学技术系副教授，微电子研究室主任
1985.9- 北京大学计算机技术系教授
1987.5- 北京大学微电子研究所所长
1990.11- 博士生导师
1995- 中科院技术科学部院士
2000年 被英国IEE（电器工程师协会）选为Fellow，被美国IEEE（电器与电子工程协会）选为Fellow
联系地址
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电子邮件: yyw@ime.pku.edu.cn 本所网站: http://ime.pku.edu.cn/