王占国
王占国,半导体材料物理学家。河南镇平县人。 1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体研究所研究员。早期从事人造卫星用硅太阳电池辐射效应和体GaAs材料性质研究，为我国人造卫星用太阳电池定型和70年代末我国GaAs研制方向转变起了关键作用。从1980年起，主要从事半导体深能级物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷、不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A, B能级和硅中金受主和金施主能级本质的争论。提出了混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理实质。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据，为提高GaAs质量作出了贡献。近年来，在空间GaAs单晶和低维半导体材料生长及性质研究方面又取得重要进展。
1995年当选为中国科学院院士。