罗毅
罗毅，男，工学博士，1960年2月生于江西省上饶市，不久移居北京。1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专业，分别于1987年和1990年在日本东京大学工学部电子工学科获工学硕士与博士学位。现为清华大学电子工程系教授、博士生导师，担任集成光电子学国家重点联合实验室主任、清华大学实验区主任，国际电机电子工程师学会主办的量子电子学杂志的编委
( Associate Editor of IEEE Journal of Quantum Electronics) ，大连理工大学兼职教授，国家自然科学基金委学科评审组成员。
罗毅同志主要从事半导体光电子器件方面的研究工作，其中包括器件物理与设计，化合物半导体材料的外延技术、全息光栅的制作技术、器件制作工艺技术、材料与器件特性的评价技术。近几年来的研究重点是分布反馈半导体激光器及单片光子集成器件。半导体光电子学是六十年代以后产生与发展起来的新兴学科领域，现在已经是具有相当产业规模的学科。世界上普遍认为光电子将成为二十一世纪的支柱产业之一。而半导体激光器及其相关的单片光子集成器件又是半导体光电子学的最关键、最基本的研究方向之一。罗毅同志是增益耦合DFB激光器
?国际公认的优秀光源的开创者之一，他也是国内最早从事DFB激光器与电吸收调制器单片集成研究的科学家。
近年来他入选了国家教委首批跨世纪优秀人才计划、获得霍英东教育基金会青年教师基金、自然科学基金优秀中青年人才专项基金、自然科学基金杰出青年基金项目的资助。正在承担”863”计划项目”10Gbit/s DFB半导体激光器 / 电吸收调制器单片光子集成器件”。在国内条件下以他为中心的研究小组开发出了新颖独特的GaAlAs/GaAs DFB 激光器的二次外延技术，并采用这一技术在世界上率先实现了完全 MBE 生长的增益耦合型 DFB 半导体激光器。在国际上率先开始了增益耦合DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的研究工作，并且成功地研制了该器件。此外他与同事们一起还在国内首次研制成功了用于光通信的长波长增益耦合DFB激光器。
近5年来共发表论文50余篇，其中有国际著名杂志论文10篇，国际会议论文11篇，中文核心杂志论文9篇。95年起享受政府特殊津贴。
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